SSD накопитель 1Тб (M.2 2280 NVMe) Samsung 980 MZ-V8V1T0BW (чипы TLC 3D NAND)
Нет в наличии
Описание
Твердотельный накопитель, объем 1 Тб.
Форм-фактор m2 2280, логический интерфейс PCI-E 3.0 x4.
Поддержка NVMe.
Контроллер Samsung Pablo.
Тип чипов памяти 3D TLC (Triple Level Cell) V-NAND.
Интерфейс NAND памяти: V-NAND.
Максимальная скорость записи 3000 Мб/сек, максимальная скорость чтения 3500 Мб/сек.
Пропускная способность интерфейса 8 Гбит/сек.
Максимальный ресурс записи (TBW): 600 ТБ.
Наработка на отказ до 1.5 млн.час.
Максимальные перегрузки: 1500 G (0.5 мс).
Поддержка TRIM, шифрование данных.
Энергопотребление 4.6 Вт в режиме Active, 0.05 Вт в режиме Idle.
Вес 8 гр.
Форм-фактор m2 2280, логический интерфейс PCI-E 3.0 x4.
Поддержка NVMe.
Контроллер Samsung Pablo.
Тип чипов памяти 3D TLC (Triple Level Cell) V-NAND.
Интерфейс NAND памяти: V-NAND.
Максимальная скорость записи 3000 Мб/сек, максимальная скорость чтения 3500 Мб/сек.
Пропускная способность интерфейса 8 Гбит/сек.
Максимальный ресурс записи (TBW): 600 ТБ.
Наработка на отказ до 1.5 млн.час.
Максимальные перегрузки: 1500 G (0.5 мс).
Поддержка TRIM, шифрование данных.
Энергопотребление 4.6 Вт в режиме Active, 0.05 Вт в режиме Idle.
Вес 8 гр.