ОписаниеБуферизованная (Registered) память DDR3 ECC, объем 4 Гб. Частота функционирования до 1600 МГц. Пропускная способность 12800 Мб/сек. Латентность CL11. Поддержка ECC. Напряжение питания 1.5 В (DDR3). Потребление энергии 1.552 Вт.
ОписаниеБуферизованная (Registered) память DDR3 ECC, объем 4 Гб. Частота функционирования до 1600 МГц. Пропускная способность 12800 Мб/сек. Латентность CL11. Поддержка ECC. Напряжение питания 1.5 В (DDR3). Потребление энергии 1.552 Вт.
В наличии: 1 шт.
1 290 руб
В наличии: 1 шт.
Буферизованная (Registered) память DDR3 ECC, объем 4 Гб. Частота функционирования до 1600 МГц. Пропускная способность 12800 Мб/сек. Латентность CL11. Поддержка ECC. Напряжение питания 1.5 В (DDR3). Потребление энергии 1.552 Вт.
