ОписаниеМодуль памяти DDR4 объемом 8 Гб.. Частота функционирования до 2666 МГц. Пропускная способность памяти 21300 Мб/сек (базовая). Латентность CL16. Тайминги CL 18-18-35. Радиатор на чипах памяти. Напряжение питания 1.2 В.
ОписаниеМодуль памяти DDR4 объемом 8 Гб.. Частота функционирования до 2666 МГц. Пропускная способность памяти 21300 Мб/сек (базовая). Латентность CL16. Тайминги CL 18-18-35. Радиатор на чипах памяти. Напряжение питания 1.2 В.
Нет в наличии
0 руб
Нет в наличии
Модуль памяти DDR4 объемом 8 Гб.. Частота функционирования до 2666 МГц. Пропускная способность памяти 21300 Мб/сек (базовая). Латентность CL16. Тайминги CL 18-18-35. Радиатор на чипах памяти. Напряжение питания 1.2 В.
